高温四探针测试仪测试电阻率的原理和介绍

　　高温四探针测试仪可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻。
 

　　那么高温四探针测试仪的测量原理是什么呢？
 

　　测量电阻率的方法很多，如三探针法、电容 -电压法、扩展电阻法等，四探针法则是一种广泛采用的标准方法，高温四探针测试仪采用经典直排四探针原理，同时采用了双电测组合四探针法。
 

　　直排四探针法
 

　　经典的直排四探针法测试电阻率，要求使用等间距的探针，如果针间距离不等或探针有游移，就会造成实验误差。当被测片较小或在大片边缘附近测量时，要求计入电场畸变的影响进行边界修正。
 

　　采用双电测组合四探针的出现，为提高薄膜电阻和体电阻率测量度创造了有利条件。

　　目前双电测组合(亦称双位组合)四探针法有三种模式：模式(1)，模式(2)，模式(3)，高温四探针测试仪采用模式(2)，通过用计算机对三种模式的理论进行比较研究的结果表明：对无穷大被测片三种模式都一样，可是测量小片或大片边缘位置时，模式(2)更好，它能自动消除边界影响，略优于模式(3)，更好于模式(1)。
 

　　那么高温四探针测试仪采用双电测组合四探针法有哪些优势呢？
 

　　1、采用双电测组合四探针法进行测试，测试结果与探针间距无关，能够消除间距不等及针尖机械游移变化的影响，因此四探针测试台允许使用不等距探针头。
 

　　2、采用双电测组合四探针法具有自动修正边界效应的功能，对小尺寸被测片或探针在较大样品边缘附近时，不需要对样品做几何测量，也不必寻找修正因子。
 

　　3、采用双电测组合四探针法，不移动四探针针头，同时使用三种模式测量，即可计算得到测试部位的电阻均匀性。